GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD - 1TB
SSD (Solid state drive), 1 TB, internal, Data Rate: 5000 MBps (read) / 4400 MBps (write), IOPS: 750000 (read) / 700000 (write), 1GB DDR4 cache, M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 NVMe 1.3 (Non-Volatile Memory Express) - Phison PS5016-E16 Controller
Normaalihinta 180,00 €
135,61 €
109,36 € Ilman arvonlisäveroa
Varastossa - 2-5 arkipäivän toimitus
Edullisin toimitus (yksityisasiakkaat) 0,00 €
Varastossa
Yksityiskohdat
Valmistaja: GIGABYTETuotenumero: 2777527
Malli: GP-ASM2NE6100TTTD
Ean: 4719331805784
Valmistajan kotisivuille
www.gigabyte.com/Solid-State-D...Tuotekuvaus | AORUS - puolijohdeasema - 1000 GB - PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
Tyyppi | Puolijohdeasema - sisäinen |
Muistin koko | 1000 GB |
Integroitu jäähdytyslevy | Kyllä |
NAND flash-muistityyppi | 3D triple-level cell (TLC) |
Koko tai muoto | M.2 2280 |
Liitäntä | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
Puskurin koko | 1 Gt |
Ominaisuudet | TRIM-tuki, Wear Leveling Support, LDPC-virhekorjaus, Over Provision, NVM Express (NVMe) 1.3, Phison PS5016-E16 -ohjain, S.M.A.R.T. |
Ulkomitat (PxSxK) | 80.5 mm x 23.5 mm x 11.4 mm |
Yleistä | |
---|---|
Laitteen tyyppi | Puolijohdeasema - sisäinen |
Muistin koko | 1000 GB |
NAND flash-muistityyppi | 3D triple-level cell (TLC) |
Integroitu jäähdytyslevy | Kyllä |
Koko tai muoto | M.2 2280 |
Liitäntä | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
Puskurin koko | 1 Gt |
Ominaisuudet | TRIM-tuki, Wear Leveling Support, LDPC-virhekorjaus, Over Provision, NVM Express (NVMe) 1.3, Phison PS5016-E16 -ohjain, S.M.A.R.T. |
Leveys | 80.5 mm |
Syvyys | 23.5 mm |
Korkeus | 11.4 mm |
Suorituskyky | |
---|---|
Puolijohdeaseman kestokyky | 1800 TB |
Sisäinen tiedonsiirtonopeus | 5000 MBps (luku) / 4400 MBps (kirjoitus) |
4KB Random Read | 750000 IOPS |
4KB Random Write | 700000 IOPS |
Luotettavuus | |
---|---|
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) | 1,770,000 tuntia |
Laajennus & Liitäntä | |
---|---|
Liitännät | 1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
Yhteensopiva paikka | M.2 2280 |
Virransyöttö | |
---|---|
Virrankulutus | 6.6 watt (luku) 6.4 watt (kirjoitus) 18.8 mW (joutokäynnillä) |
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä.
Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin.