Menu

Apua

GP-GSM2NE3512GNTD - GIGABYTE SSD NVMe M.2 - 512GB

GIGABYTE SSD NVMe M.2 - 512GB

SSD (Solid state drive), 500 GB, internal, Data Rate: 1700 MBps (read) / 1550 MBps (write), IOPS: 270000 (read) / 340000 (write), M.2 2280 (80mm), M.2 2280 (80mm), PCI-Express 3.0 x4 NVMe 1.2 (Non-Volatile Memory Express)

Tuotenumero: 2861884
GP-GSM2NE3512GNTD
GP-GSM2NE3512GNTD
GP-GSM2NE3512GNTD
69,90 €
56,37 € Ilman arvonlisäveroa
Varastossa - 2-5 arkipäivän toimitus
Edullisin toimitus (yksityisasiakkaat) 5,00 €
Varastossa
+15 kpl

Yksityiskohdat

Valmistaja: GIGABYTE
Tuotenumero: 2861884
Malli: GP-GSM2NE3512GNTD
Ean: 4719331806880

Valmistajan kotisivuille

www.gigabyte.com/Solid-State-D...
TuotekuvausGigabyte - puolijohdeasema - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
TyyppiPuolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko512 GB
Koko tai muotoM.2 2280
LiitäntäPCI Express 3.0 x4 (NVMe)
OminaisuudetTRIM-tuki, NVM Express (NVMe) 1.3, HMB (Host Memory Buffer) -tuki, S.M.A.R.T.
Ulkomitat (PxSxK)80 mm x 22 mm x 2.3 mm

Yleistä

Laitteen tyyppi Puolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko 512 GB
Koko tai muoto M.2 2280
Liitäntä PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet TRIM-tuki, NVM Express (NVMe) 1.3, HMB (Host Memory Buffer) -tuki, S.M.A.R.T.
Leveys 80 mm
Syvyys 22 mm
Korkeus 2.3 mm

Suorituskyky

Puolijohdeaseman kestokyky 800 TB
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 1700 MBps (luku) / 1550 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read 270000 IOPS
4KB Random Write 340000 IOPS

Luotettavuus

Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 1,500,000 tuntia

Laajennus & Liitäntä

Liitännät 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Yhteensopiva paikka M.2 2280

Virransyöttö

Virrankulutus 3.2 watt (luku)
2.8 watt (kirjoitus)
1.8 mW (joutokäynnillä)

Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä.
Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin.