Esitellään asema, joka tarjoaa henkilökohtaisen tietokonekokemuksen edistyneellä suorituskyvyllä ja suurella tallennuskapasiteetilla. Yhdistämällä Intel Optane -teknologian ja Intel QLC 3D NAND -teknologian parhaat ominaisuudet, Intel Optane Memory H10 kiintolevy-yhdistelmä tuo yhteen kaksi muisti- ja tallennusteknologiaa yhdelle M.2 2280 -muodossa olevalle levyasemalle. Tarjoten innovatiivisuutta tallennuksessa Intel-alustoilla, Intel Optane Memory H10 on täydellinen valinta pelaajille, media- ja sisällöntuottajille, tavallisille käyttäjille sekä ammattilaisille. Monipuolinen M.2-muoto toimii kaikissa ohutkannettavista perinteisiin pöytätietokoneisiin sekä AIOihin (All-in-One) ja minitietokoneisiin asti. Tarjoamalla järjestelmän reagointikyvyn tallennuskapasiteeteillaan, Intel Optane Memory H10 nopeuttaa sitä mitä käytät eniten; arkipäivän tehtävistään aina suurten medioiden hallintaan pelien tiedostoihin ja sovelluksiin asti.
Valmistaja
Tuotenumero
2776401
Malli
HBRPEKNX0202A01
Ean
0675901705899
Valmistajan kotisivuille
Tuotekuvaus
Intel Optane Memory H10 with Solid State Storage - SSD - 512 GB - PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
512 GB
SSD-teknologia
3D Xpoint (Optane)
NAND flash-muistityyppi
3-D QLC-solu
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Puskurin koko
32 Gt
Ominaisuudet
Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-end-tietosuoja, Rapid Start Technology, 3D NAND Technology
Ulkomitat (PxSxK)
22 mm x 80 mm
Paino
10 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
512 GB
SSD-teknologia
3D Xpoint (Optane)
NAND flash-muistityyppi
3-D QLC-solu
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Puskurin koko
32 Gt
Ominaisuudet
Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-end-tietosuoja, Rapid Start Technology, 3D NAND Technology
Leveys
22 mm
Syvyys
80 mm
Paino
10 g
Suorituskyky
Puolijohdeaseman kestokyky
150 TB
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
2300 MBps (luku) / 1300 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
320000 IOPS
4KB Random Write
250000 IOPS
Keskimääräinen saantiviive
7 μs
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,600,000 tuntia
Ei-korjattavissa olevat virheet
1 per 10^15
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Yhteensopiva paikka
M.2 2280
Virransyöttö
Virrankulutus
5.8 watti(a) (aktiivinen)
13 mW (joutokäynnillä)
13 mW (joutokäynnillä)
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.