Valmistaja
Tuotenumero
2634280
Malli
MZ-M6E1T0BW
Ean
8801643076337
Valmistajan kotisivuille
Tuotekuvaus
Samsung 860 EVO MZ-M6E1T0BW - puolijohdeasema - 1 Tt - SATA 6Gb/s
Tyyppi
Puolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko
1 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
3D multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
mSATA
Liitäntä
SATA 6Gb/s
Tiedonsiirtonopeus
600 MBps
Puskurin koko
1 Gt
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., AES 256 bittiä, IEEE 1667
Ulkomitat (PxSxK)
29.85 mm x 50.8 mm x 3.85 mm
Paino
8.5 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
Puolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko
1 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
3D multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
mSATA
Liitäntä
SATA 6Gb/s
Puskurin koko
1 Gt
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., AES 256 bittiä, IEEE 1667
Leveys
29.85 mm
Syvyys
50.8 mm
Korkeus
3.85 mm
Paino
8.5 g
Suorituskyky
Puolijohdeaseman kestokyky
600 TB
Aseman siirtonopeus
600 MBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
550 MBps (luku) / 520 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write
88000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
97000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
1 x SATA 6 Gb/s
Yhteensopiva paikka
mSATA
Virransyöttö
Virrankulutus
3 watt (keskimäärä)
4.5 watt (maksimi)
4.5 watt (maksimi)
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.