The 860 QVO SSD gives you huge storage, with solid performance and reliability at exceptional value.
Valmistaja
Tuotenumero
2689304
Malli
MZ-76Q1T0BW
Ean
8801643443757
Valmistajan kotisivuille
Tuotekuvaus
Samsung 860 QVO MZ-76Q1T0BW - puolijohdeasema - 1 Tt - SATA 6Gb/s
Tyyppi
Puolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko
1 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
NAND flash-muistityyppi
Multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
2.5"
Liitäntä
SATA 6Gb/s
Puskurin koko
1 Gt
Ominaisuudet
V-NAND Technology
Ulkomitat (PxSxK)
69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm
Paino
51 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
Puolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko
1 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
NAND flash-muistityyppi
Multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
2.5"
Liitäntä
SATA 6Gb/s
Puskurin koko
1 Gt
Ominaisuudet
V-NAND Technology
Leveys
69.85 mm
Syvyys
100 mm
Korkeus
6.8 mm
Paino
51 g
Suorituskyky
Puolijohdeaseman kestokyky
360 TB
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
550 MBps (luku) / 520 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
7500 IOPS
4KB Random Write
42000 IOPS
Maximum 4KB Random Write
89000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
96000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
1 x SATA 6 Gb/s
Yhteensopiva paikka
2.5"
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.