The 860 QVO SSD gives you huge storage, with solid performance and reliability at exceptional value.
Valmistaja
Tuotenumero
2689305
Malli
MZ-76Q2T0BW
Ean
8801643443740
Valmistajan kotisivuille
Tuotekuvaus
Samsung 860 QVO MZ-76Q2T0BW - puolijohdeasema - 2 Tt - SATA 6Gb/s
Tyyppi
Puolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko
2 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
2.5"
Liitäntä
SATA 6Gb/s
Puskurin koko
2 Gt
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Garbage Collection -teknologia, unitila, V-NAND Technology, Samsung MJX Controller, Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., AES 256 bittiä
Ulkomitat (PxSxK)
69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm
Paino
60 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
Puolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko
2 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
2.5"
Liitäntä
SATA 6Gb/s
Puskurin koko
2 Gt
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Garbage Collection -teknologia, unitila, V-NAND Technology, Samsung MJX Controller, Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., AES 256 bittiä
Leveys
69.85 mm
Syvyys
100 mm
Korkeus
6.8 mm
Paino
60 g
Suorituskyky
Puolijohdeaseman kestokyky
720 TB
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
550 MBps (luku) / 520 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
7500 IOPS
4KB Random Write
42000 IOPS
Maximum 4KB Random Write
89000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
97000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
1 x SATA 6 Gb/s
Yhteensopiva paikka
2.5"
Virransyöttö
Virrankulutus
3.1 watt (keskimäärä)
4.2 watt (maksimi)
0.03 watt (joutokäynnillä)
4.2 watt (maksimi)
0.03 watt (joutokäynnillä)
Muuta
Yhteensopivuusstandardit
IEEE 1667
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.