Valmistaja
Tuotenumero
2655438
Malli
MZ-V7E1T0BW
Ean
8801643205300
Valmistajan kotisivuille
Tuotekuvaus
Samsung 970 EVO MZ-V7E1T0BW - SSD - 1 Tt - PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
1 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
3D multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Microsoft eDrive -yhteensopiva, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, Temperature Monitoring, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Ulkomitat (PxSxK)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Paino
7.94 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
1 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
3D multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Microsoft eDrive -yhteensopiva, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, Temperature Monitoring, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Leveys
22.15 mm
Syvyys
80.15 mm
Korkeus
2.38 mm
Paino
7.94 g
Suorituskyky
Puolijohdeaseman kestokyky
600 TB
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
3400 MBps (luku) / 2500 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
15000 IOPS
4KB Random Write
50000 IOPS
Maximum 4KB Random Write
450000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
500000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Yhteensopiva paikka
M.2 2280
Virransyöttö
Virrankulutus
6 watti(a) (keskimäärä)
10 watti(a) (maksimi)
0.03 watti(a) (tyhjäkäynti enint.)
10 watti(a) (maksimi)
0.03 watti(a) (tyhjäkäynti enint.)
Muuta
Yhteensopivuusstandardit
IEEE 1667
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.