Tuotekuvaus puuttuu.
Valmistaja
Tuotenumero
2661036
Malli
MZVLB256HAHQ-00000
Ean
8592978146450
Valmistajan kotisivuille
Tuotekuvaus
Samsung PM981 MZVLB256HAHQ - puolijohdeasema - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
Puolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko
256 GB
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
256-bit AES-XTS
NAND flash-muistityyppi
3D multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a
Ulkomitat (PxSxK)
22 mm x 80 mm x 2.38 mm
Paino
9 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
Puolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko
256 GB
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
256-bit AES-XTS
NAND flash-muistityyppi
3D multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Tavua/sektori
512
Ominaisuudet
3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a
Leveys
22 mm
Syvyys
80 mm
Korkeus
2.38 mm
Paino
9 g
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia
Korjattavissa olevat virheet
1 per 10^15
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
PCI Express 3.0 x8 (NVMe) - M.2 Card
Yhteensopiva paikka
M.2 2280
Virransyöttö
Virrankulutus
5.9 watt (luku)
5.7 watt (kirjoitus)
30 mW (joutokäynnillä)
5.7 watt (kirjoitus)
30 mW (joutokäynnillä)
Muuta
Yhteensopivuusstandardit
TUV, VCCI, BSMI, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, cULus, RCM
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.