Apua

MZVLB512HAJQ-00000 - Samsung PM981 SSD M.2 2280 NVMe - 512GB

Samsung PM981 SSD M.2 2280 NVMe - 512GB

Puolijohdeasema, salattu, 512 GB, sisäinen, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), 256-bit AES-XTS, Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0

Tuotenumero: 2661037
Tuotetta ei ole saatavilla tällä hetkellä
Katso vastaavia tuotteita

Yksityiskohdat

Valmistaja: Samsung
Tuotenumero: 2661037
Malli: MZVLB512HAJQ-00000
Ean: 5704174115656

Valmistajan kotisivuille

www.samsung.com/semiconductor/...
TuotekuvausSamsung PM981 MZVLB512HAJQ - puolijohdeasema - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
TyyppiPuolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko512 GB
LaitteistosalausKyllä
Salausalgoritmi256-bit AES-XTS
NAND flash-muistityyppi3D multi-level cell (MLC)
Koko tai muotoM.2 2280
LiitäntäPCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a
Ulkomitat (PxSxK)22 mm x 80 mm x 2.38 mm
Paino9 g

Yleistä

Laitteen tyyppi Puolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko 512 GB
Laitteistosalaus Kyllä
Salausalgoritmi 256-bit AES-XTS
NAND flash-muistityyppi 3D multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto M.2 2280
Liitäntä PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Tavua/sektori 512
Ominaisuudet 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a
Leveys 22 mm
Syvyys 80 mm
Korkeus 2.38 mm
Paino 9 g

Suorituskyky

Sisäinen tiedonsiirtonopeus 3000 MBps (luku) / 1800 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 420000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 270000 IOPS

Luotettavuus

Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 1,500,000 tuntia
Korjattavissa olevat virheet 1 per 10^15

Laajennus & Liitäntä

Liitännät PCI Express 3.0 x8 (NVMe) - M.2 Card
Yhteensopiva paikka M.2 2280

Virransyöttö

Virrankulutus 5.9 watt (luku)
5.7 watt (kirjoitus)
30 mW (joutokäynnillä)

Muuta

Yhteensopivuusstandardit TUV, VCCI, BSMI, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, cULus, RCM
Tuotekuvaus puuttuu.

Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä.
Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin.