Tuotenumero: 2914942

Samsung 870 EVO SSD - 2TB - 2.5" - SATA-600

SSD (Solid State Drive), 2 TB, sisäinen, tiedonsiirtonopeus: 560 MB/s (luku) / 530 MB/s (kirjoitus), IOPS: 98000 IOPS (luku) / 88000 IOPS (kirjoitus), 2GB LPDDR4 RAM, koko: 2.5", SATA-600 yhteys, laitteiston salaus: 256 bit, Samsung 3-core MKX controller, Huom! Bulkkipakattu (ilman lisävarusteita), software: Samsung Magician, väri: sort

Lue lisää
646,36 € 515,03 € Ilman arvonlisäveroa
Ilmainen toimitus noutopisteeseen
Tilattu - Toimituspäivä ei tiedossa

Nähdäksesi tämän sisällön, sinun on hyväksyttävä evästeet.

Muuta evästeasetuksia
Suuren kysynnän vuoksi, ostosten määrää on rajoitettu 2 kpl/asiakas, sillä haluamme tarjota mahdollisuuden mahdollisimman monelle.

Jos sinulla on tarvetta useammalle kappaleelle, kuin mitä hyväksymme, ole hyvä ja ota yhteyttä asiakaspalveluumme.

Maailman myydyimmän SSD-sarjan uusin malli on vihdoin saapunut. 870 EVO perii Samsungin edistyksellisen SSD-teknologian perinnön, ylpeillen päivitetyllä suorituskyvyllä, luotettavuudella ja yhteensopivuudella sopien kaikkien tarpeisiin sisällöntuottajista IT-ammattilaisiin ja tavallisiin käyttäjiin.

SATA & ATA kaapelit

Kovalevyt - lisätarvikkeet

Valmistaja
Tuotenumero
2914942
Malli
MZ-77E2T0B/EU
Ean
8806090545900
Valmistajan kotisivuille
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B - SSD - 2 Tt - SATA 6Gb/s
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
2 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
3D multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
2.5"
Liitäntä
SATA 6Gb/s
Tiedonsiirtonopeus
600 MBps
Puskurin koko
2 Gt
Ominaisuudet
3-bit 3D V-NAND Technology, Samsung MKX Controller, TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), Low Power DDR4 SDRAM Cache, TurboWrite Technology, unitila, S.M.A.R.T., AES 256 bittiä, IEEE 1667
Ulkomitat (PxSxK)
69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm
Paino
45 g

Yleistä

Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
2 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
3D multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
2.5"
Liitäntä
SATA 6Gb/s
Puskurin koko
2 Gt
Ominaisuudet
3-bit 3D V-NAND Technology, Samsung MKX Controller, TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), Low Power DDR4 SDRAM Cache, TurboWrite Technology, unitila, S.M.A.R.T., AES 256 bittiä, IEEE 1667
Leveys
69.85 mm
Syvyys
100 mm
Korkeus
6.8 mm
Paino
45 g

Suorituskyky

Puolijohdeaseman kestokyky
1200 TB
Aseman siirtonopeus
600 MBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
560 MBps (luku) / 530 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
13000 IOPS
4KB Random Write
36000 IOPS
Maximum 4KB Random Write
88000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
98000 IOPS

Luotettavuus

Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia

Laajennus & Liitäntä

Liitännät
1 x SATA 6 Gb/s
Yhteensopiva paikka
2.5"

Virransyöttö

Virrankulutus
5 watti(a) (keskimäärä)
4.5 watti(a) (maksimi)

Ohjelmisto & Järjestelmävaatimukset

Mukana tulevat ohjelmistot
Samsung Magician Software

Muuta

Yhteensopivuusstandardit
WWN, IEEE 1667

Ympäristötiedot

Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
70 °C
Iskunkestävyys (käytettäessä)
1500 g @ 0,5 ms puolisini

Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.