Tuotenumero: 3457406
HP E - SSD - Mixed Use High Performance - 12.8 TB - PCI Express 5.0 (NVMe)
SSD, Mixed Use, High Performance, 12.8 Tt, hot-swap, E3.S, PCI Express 5.0 (NVMe), PS1030, sekä HPE E3.S Thin Carrier
136 972,75 €
109 141,63 € Ilman arvonlisäveroa
Ilmainen toimitus noutopisteeseen
Tilaustuote, 1-2 kuukautta toimitukseen
Do you need to accelerate the performance of your mixed use applications? HPE NVMe High Performance Mixed Use (MU) Enterprise and Datacenter Standard Form Factor (EDSFF) E3.S Solid State Drives (SSDs) are best suited for high I/O applications that require a balanced performance between reads and writes to deliver high performance and endurance for data-intensive applications. NVMe High Performance MU SSDs communicate directly to applications via the PCIe Gen 5 bus to boost I/O bandwidth and reduce latency. HPE NVMe High Performance MU EDSFF E3.S SSDs replace the traditional 2.5 inch small form factor SSD while supporting greater density of NVMe drives. It delivers high performance, lower latency data transfers from storage significantly faster than SAS or SATA SSDs. Designed to utilize the high bandwidth of PCIe Gen 5 in select servers for mixed use workloads such as Big Data analytics, HPC, and virtualization.
Valmistaja
Tuotenumero
3457406
Malli
P70403-B21
Ean
190017713328
Valmistajan kotisivuille
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
HPE - SSD - Mixed Use, High Performance - 12.8 Tt - PCI Express 5.0 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - hot-swap
Muistin koko
12.8 Tt
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
E3.S
Liitäntä
PCI Express 5.0 (NVMe)
Asemaluokka
Mixed Use, High Performance
Ominaisuudet
Digitally Signed Firmware, NVM Express (NVMe)
Ulkomitat (PxSxK)
7.5 mm
Paino
540 g
Yhdistetty
HPE E3.S Thin Carrier
Yleistä
Laitteen tyyppi
SSD-levy - hot-swap
Muistin koko
12.8 Tt
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
E3.S
Liitäntä
PCI Express 5.0 (NVMe)
Ominaisuudet
Digitally Signed Firmware, NVM Express (NVMe)
Korkeus
7.5 mm
Paino
540 g
Yhdistetty
HPE E3.S Thin Carrier
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD)
3.49
Puolijohdeaseman kestokyky
81526 TB
Asemaluokka
Mixed Use, High Performance
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
14125 MBps (luku) / 8050 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
268034 IOPS
4KB Random Write
847716 IOPS
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
1 x PCI Express 5.0 (NVMe)
Yhteensopiva paikka
E3.S
Virransyöttö
Virrankulutus
4.9 watti(a) (tyhjä virta)
23.42 watti(a) (satunnainen luku)
22.93 watti(a) (satunnainen kirjoitus)
19.85 watti(a) (peräkkäinen luku)
22.87 watti(a) (peräkkäinen kirjoitus)
23.13 watti(a) (satunnainen luku/kirjoitus)
23.46 watti(a) (maksimi)
23.42 watti(a) (satunnainen luku)
22.93 watti(a) (satunnainen kirjoitus)
19.85 watti(a) (peräkkäinen luku)
22.87 watti(a) (peräkkäinen kirjoitus)
23.13 watti(a) (satunnainen luku/kirjoitus)
23.46 watti(a) (maksimi)
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.