Tuotenumero: 3521727
Kioxia CD9P-R Series KCD9DPJE30T7 - SSD - Data Centre Read Intensive - 30720 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
SSD, datakeskus, lukuintensiivinen, salattu, 30720 GB, sisäinen, E3.S, PCI Express 5.0 x4 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED)
19 956,95 €
15 901,95 € Ilman arvonlisäveroa
Ilmainen toimitus noutopisteeseen
Tilaustuote, 14-17 arkipäivää toimitukseen
KIOXIA CD9P-R -sarjan KCD9DPJE30T7 on suurikapasiteettinen, lukupainotteinen datakeskuksen NVMe-SSD, joka on suunniteltu tarjoamaan luotettavaa tallennustilaa vaativille yrityskäyttökohteille. E3.S-muoto ja PCI Express 5.0 x4 -liitäntä tarjoavat kompaktin koon ja suuren siirtonopeuden, mikä tukee nopeaa peräkkäistä ja satunnaista pääsyä suuriin tietojoukkoihin ja analytiikkaan. 30 720 GB:n 3D TLC BiCS-flash-muistilla ja sisäisellä tiedonsiirtonopeudella, joka tukee nopeaa lukemista ja jatkuvaa kirjoittamista, asema auttaa vähentämään viivettä ja nopeuttamaan tietojenkäsittelyä.Kestävyyttä ja tietojen eheyttä silmällä pitäen suunniteltu asema sisältää virrankatkossuojauksen, päästä päähän -tietosuojan sekä itsesalausominaisuudet kriittisten tietojen suojaamiseksi. Toimintavarmuutta tukevat laaja lämpötila-alue, korkea iskun- ja tärinänsietokyky sekä 2 500 000 tunnin MTBF-arvo, minkä ansiosta asema soveltuu jatkuvaan käytöön datakeskuksissa. Asema tasapainottaa myös suorituskykyä ja tehokkuutta kohtuullisella aktiivisen ja lepotilan virrankulutuksella sekä 1 DWPD -luokituksella, joka takaa ennustettavan kestävyyden lukupainotteisissa käyttöympäristöissä.
Valmistaja
Tuotenumero
3521727
Malli
KCD9DPJE30T7
Ean
4582761163195
Valmistajan kotisivuille
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
KIOXIA CD9P-R Series KCD9DPJE30T7 - SSD - datakeskus, lukuintensiivinen - 30720 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
30720 GB
Laitteistosalaus
Kyllä
NAND flash-muistityyppi
3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
E3.S
Liitäntä
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Asemaluokka
Datakeskus, lukuintensiivinen
Ominaisuudet
NVM Express (NVMe) 2.0, BICS Flash -muisti, Power Loss Protection (PLP), End-to-end-tietosuoja
Ulkomitat (PxSxK)
76 mm x 112.75 mm x 7.5 mm
Paino
110 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
30720 GB
Laitteistosalaus
Kyllä
NAND flash-muistityyppi
3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
E3.S
Liitäntä
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
NVM Express (NVMe) 2.0, BICS Flash -muisti, Power Loss Protection (PLP), End-to-end-tietosuoja
Leveys
76 mm
Syvyys
112.75 mm
Korkeus
7.5 mm
Paino
110 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD)
1
Asemaluokka
Datakeskus, lukuintensiivinen
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
13500 MBps (luku) / 7000 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
2600000 IOPS
4KB Random Write
270000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
2,500,000 tuntia
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Yhteensopiva paikka
E3.S
Virransyöttö
Vaadittava jännite
12 V
Virrankulutus
23 watti(a) (aktiivinen)
5 watti(a) (joutokäynnillä)
5 watti(a) (joutokäynnillä)
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
76 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila
-40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila
85 °C
Toimintakosteus
5 - 95% RH
Iskunkestävyys (käytettäessä)
1000 g @ 0,5 ms
Tärinätoleranssi (käytettäessä)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.