Tuotenumero: 3521724
Kioxia CD9P-R Series KCD9DPJE7T68 - SSD - Data Centre Read Intensive - 7680 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
SSD, datakeskus, lukuintensiivinen, salattu, 7680 GB, sisäinen, E3.S, PCI Express 5.0 x4 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED)
5 993,31 €
4 775,55 € Ilman arvonlisäveroa
Ilmainen toimitus noutopisteeseen
Tilaustuote, 14-17 arkipäivää toimitukseen
KIOXIA CD9P-R -sarjan KCD9DPJE7T68 on datakeskuksille tarkoitettu NVMe-SSD, joka on suunniteltu tarjoamaan luotettavaa, lukupainotteista tallennustilaa yrityspalvelimille ja -infrastruktuurille. Se tarjoaa suurikapasiteettista tallennustilaa, jossa on 7,68 TB käyttökelpoista tilaa suurten tietojoukkojen, varmuuskopioiden ja sisältötallennustilojen säilyttämiseen samalla, kun suorituskyky pysyy tasaisena. Asema tukee PCI Express 5.0 x4 -liitäntää, joka takaa matalan viiveen, ja tarjoaa korkean jatkuvan siirtonopeuden sekä vahvan satunnaisen I/O-suorituskyvyn, mikä auttaa pitämään vaativat sovellukset reagoivina. Sisäänrakennettu virrankatkossuoja, päästä päähän ulottuva tietosuoja ja itsesalausominaisuudet auttavat säilyttämään tietojen eheyden ja parantavat tietoturvaa kriittisissä ympäristöissä. E3.S-muoto ja vankat ympäristökestävyysominaisuudet tukevat tiheitä palvelinasennuksia ja luotettavaa toimintaa tyypillisissä datakeskuksen olosuhteissa.
Valmistaja
Tuotenumero
3521724
Malli
KCD9DPJE7T68
Ean
4582761163171
Valmistajan kotisivuille
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
KIOXIA CD9P-R Series KCD9DPJE7T68 - SSD - datakeskus, lukuintensiivinen - 7680 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
7680 GB
Laitteistosalaus
Kyllä
NAND flash-muistityyppi
3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
E3.S
Liitäntä
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Asemaluokka
Datakeskus, lukuintensiivinen
Ominaisuudet
NVM Express (NVMe) 2.0, BICS Flash -muisti, Power Loss Protection (PLP), End-to-end-tietosuoja
Ulkomitat (PxSxK)
76 mm x 112.75 mm x 7.5 mm
Paino
110 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
7680 GB
Laitteistosalaus
Kyllä
NAND flash-muistityyppi
3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
E3.S
Liitäntä
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
NVM Express (NVMe) 2.0, BICS Flash -muisti, Power Loss Protection (PLP), End-to-end-tietosuoja
Leveys
76 mm
Syvyys
112.75 mm
Korkeus
7.5 mm
Paino
110 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD)
1
Asemaluokka
Datakeskus, lukuintensiivinen
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
14500 MBps (luku) / 7000 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
2600000 IOPS
4KB Random Write
450000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
2,500,000 tuntia
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Yhteensopiva paikka
E3.S
Virransyöttö
Vaadittava jännite
12 V
Virrankulutus
23 watti(a) (aktiivinen)
5 watti(a) (joutokäynnillä)
5 watti(a) (joutokäynnillä)
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
76 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila
-40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila
85 °C
Toimintakosteus
5 - 95% RH
Iskunkestävyys (käytettäessä)
1000 g @ 0,5 ms
Tärinätoleranssi (käytettäessä)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.