Tuotenumero: 3526890

Kioxia CM9-R Series KCM9DRJE30T7 - SSD - Enterprise Read Intensive - 30720 GB - PCI Express 5.0 (NVMe)

SSD, yritys, lukuintensiivinen, salattu, 30720 GB, sisäinen, E3.S, PCI Express 5.0 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED)

25 866,89 € 20 611,07 € Ilman arvonlisäveroa
Ilmainen toimitus noutopisteeseen
Tilaustuote, 16-19 arkipäivää toimitukseen

KIOXIA CM9-R -sarjan KCM9DRJE30T7 on yrityskäyttöön tarkoitettu, lukupainotteinen sisäinen SSD-asema, joka on suunniteltu jatkuvaan, ympärivuorokautiseen (24x7) datakeskuksen käyttökuormitukseen. Se tarjoaa suurikapasiteettisen tallennustilan ja tasaisen vasteajan tukemaan laajamittaisia data-ympäristöjä. Aseman kapasiteetti on 30 720 GB, ja se tukee PCI Express 5.0 (NVMe) -liitäntää, mikä mahdollistaa nopean tiedonsiirron ja matalan viiveen. Kestävyyden ja tietojen eheyden takaamiseksi asemaan on sisällytetty ominaisuuksia, kuten virrankatkossuoja, päästä päähän -tietosuoja, kahden portin käytettävyys ja itsesalausominaisuus, jotka auttavat ylläpitämään käytettävyyttä ja suojaamaan tallennettuja tietoja. CM9-R-sarjan asema yhdistää tasaisen suorituskyvyn ja yritystason luotettavuuden, minkä ansiosta se sopii raskaisiin lukupainotteisiin työkuormiin, jotka vaativat jatkuvaa käytettävyyttä ja vankkaa kestävyyttä.

Valmistaja
Tuotenumero
3526890
Malli
KCM9DRJE30T7
Valmistajan kotisivuille
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
KIOXIA CM9-R Series KCM9DRJE30T7 - SSD - yritys, lukuintensiivinen - 30720 GB - PCI Express 5.0 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
30720 GB
Laitteistosalaus
Kyllä
NAND flash-muistityyppi
3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
E3.S
Liitäntä
PCI Express 5.0 (NVMe)
Asemaluokka
Yritys, lukuintensiivinen
Ominaisuudet
BICS Flash -muisti, Open Compute Project 2.5, Dual Port, Power Loss Protection (PLP), End-to-end-tietosuoja, 24x7 jatkuva käyttö, NVM Express (NVMe) 2.0
Ulkomitat (PxSxK)
76 mm x 112.75 mm x 7.5 mm
Paino
110 g

Yleistä

Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
30720 GB
Laitteistosalaus
Kyllä
NAND flash-muistityyppi
3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
E3.S
Liitäntä
PCI Express 5.0 (NVMe)
Ominaisuudet
BICS Flash -muisti, Open Compute Project 2.5, Dual Port, Power Loss Protection (PLP), End-to-end-tietosuoja, 24x7 jatkuva käyttö, NVM Express (NVMe) 2.0
Leveys
76 mm
Syvyys
112.75 mm
Korkeus
7.5 mm
Paino
110 g

Suorituskyky

Drive Writes Per Day (DWPD)
1
Asemaluokka
Yritys, lukuintensiivinen
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
13500 MBps (luku) / 9750 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
2750000 IOPS
4KB Random Write
270000 IOPS

Luotettavuus

Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
2,500,000 tuntia
24x7 käyttö
Kyllä

Laajennus & Liitäntä

Liitännät
1 x PCI Express 5.0 (NVMe)
Yhteensopiva paikka
E3.S

Virransyöttö

Virrankulutus
25 watti(a) (aktiivinen (tyypillinen))
5 watti(a) (joutokäynnillä)

Ympäristötiedot

Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila
-40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila
85 °C
Toimintakosteus
5 - 95% RH
Iskunkestävyys (käytettäessä)
1000 g @ 0,5 ms
Tärinätoleranssi (käytettäessä)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz

Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.