Tuotenumero: 3526889
Kioxia CM9-R Series KCM9DRJE7T68 - SSD - Enterprise Read Intensive - 7680 GB - PCI Express 5.0 (NVMe)
SSD, yritys, lukuintensiivinen, salattu, 7680 GB, sisäinen, E3.S, PCI Express 5.0 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED)
6 788,03 €
5 408,79 € Ilman arvonlisäveroa
Ilmainen toimitus noutopisteeseen
Tilaustuote, 16-19 arkipäivää toimitukseen
KIOXIA CM9-R KCM9DRJE7T68 on yrityskäyttöön tarkoitettu NVMe-SSD-asema, joka on suunniteltu jatkuviin, lukupainotteisiin työkuormiin tiheissä palvelin- ja hyperscale-ympäristöissä. Se tarjoaa suurikapasiteettista tallennustilaa 7 680 GB:n kapasiteetilla ja E3.S-muodossa, mikä maksimoi telineiden tiheyden ja tukee samalla nykyaikaisia palvelinarkkitehtuureja. Asema auttaa ylläpitämään nopeaa ja reagoivaa tallennus suorituskykyä PCI Express 5.0 (NVMe) -liitännän, satunnaisten luku- ja kirjoitustoimintojen miljoonien IOPS-kapasiteetin sekä jatkuvien sisäisten tiedonsiirtonopeuksien ansiosta, jotka pitävät vaativat sovellukset ja suuret tietojoukot sujuvasti liikkeessä. Sisäänrakennetut vikasietoisuusominaisuudet, kuten kaksiporttinen liitettävyys, virrankatkossuoja, päästä päähän ulottuva tietosuoja ja itse salautuvat asematoiminnot, takaavat toimintavarmuuden ja tietoturvan ympärivuorokautisessa käytössä, kun taas korkea MTBF-arvo tukee pitkäaikaista käytettävyyttä.
Valmistaja
Tuotenumero
3526889
Malli
KCM9DRJE7T68
Valmistajan kotisivuille
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
KIOXIA CM9-R Series KCM9DRJE7T68 - SSD - yritys, lukuintensiivinen - 7680 GB - PCI Express 5.0 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
7680 GB
Laitteistosalaus
Kyllä
NAND flash-muistityyppi
3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
E3.S
Liitäntä
PCI Express 5.0 (NVMe)
Asemaluokka
Yritys, lukuintensiivinen
Ominaisuudet
BICS Flash -muisti, Open Compute Project 2.5, Dual Port, Power Loss Protection (PLP), End-to-end-tietosuoja, 24x7 jatkuva käyttö, NVM Express (NVMe) 2.0
Ulkomitat (PxSxK)
76 mm x 112.75 mm x 7.5 mm
Paino
110 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
7680 GB
Laitteistosalaus
Kyllä
NAND flash-muistityyppi
3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
E3.S
Liitäntä
PCI Express 5.0 (NVMe)
Ominaisuudet
BICS Flash -muisti, Open Compute Project 2.5, Dual Port, Power Loss Protection (PLP), End-to-end-tietosuoja, 24x7 jatkuva käyttö, NVM Express (NVMe) 2.0
Leveys
76 mm
Syvyys
112.75 mm
Korkeus
7.5 mm
Paino
110 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD)
1
Asemaluokka
Yritys, lukuintensiivinen
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
14800 MBps (luku) / 10000 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
3400000 IOPS
4KB Random Write
500000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
2,500,000 tuntia
24x7 käyttö
Kyllä
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
1 x PCI Express 5.0 (NVMe)
Yhteensopiva paikka
E3.S
Virransyöttö
Virrankulutus
25 watti(a) (aktiivinen (tyypillinen))
5 watti(a) (joutokäynnillä)
5 watti(a) (joutokäynnillä)
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila
-40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila
85 °C
Toimintakosteus
5 - 95% RH
Iskunkestävyys (käytettäessä)
1000 g @ 0,5 ms
Tärinätoleranssi (käytettäessä)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.