Tuotenumero: 2449953

Samsung 850 PRO SSD - 512GB

Puolijohdeasema, salattu, 512 Gt, sisäinen, 2.5", SATA 6Gb/s, puskuri: 512 Mt, Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0

Tuotetta ei ole saatavilla tällä hetkellä
Katso vastaavia tuotteita

Erityisesti tehokäyttäjille ja korkeaa luotettavuutta arvostavalle käyttäjälle suunniteltu 2,5" SSD-asema, joka kytketään tietokoneen SATA-väylään. 850 PRO on maailman ensimmäinen 3D V-NAND - teknologiaan perustuva SSD-asema, joka tarjoaa jopa kymmenkertaisen kestävyyden ja parhaimmillaan tuplasti enemmän nopeutta kuin tavalliset SSD-asemat. Se on varustettu MLC-piireillä, joilla saadaan paras nopeus ja kestävyys. Tämän ansiosta ohjelmat käynnistyvät nopeammin, tietojen tallennus käy hetkessä, tiedostosi ovat turvassa ja tietokoneen virrankulutus on alhaisempi. Lukunopeus on kapasiteetista riippumatta jopa 550 Mt/s ja kirjoitusnopeus huikea 520 Mt/s (128Gt mallissa 470 Mt/s). 850 PRO on varustettu sisäänrakennetulla salauksella, joten tiedostosi ovat turvassa luvattomalta käytöltä. Mukana toimitetaan kätevä Samsung Magician - hallintaohjelmisto. Laadun takeeksi asemalle myönnetään 10 vuoden takuu.

SATA & ATA kaapelit

Kovalevyt - lisätarvikkeet

Valmistaja
Tuotenumero
2449953
Malli
MZ-7KE512BW
Ean
8806086264648
Valmistajan kotisivuille
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
Samsung 850 PRO MZ-7KE512BW - SSD - 512 GB - SATA 6Gb/s
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
512 GB
Laitteistosalaus
Kyllä
NAND flash-muistityyppi
Multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
2.5"
Liitäntä
SATA 6Gb/s
Tiedonsiirtonopeus
600 MBps
Puskurin koko
512 Mt
Ominaisuudet
Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-tuki, Automatic Garbage Collection, DevSleep-tila, Samsung 3-core MEX Controller, Microsoft eDrive -yhteensopiva, 3D V-NAND Technology, Dynamic Thermal Guard protection, RAPID-tilan tuki, Low Power DDR2 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., AES 256 bittiä, IEEE 1667
Ulkomitat (PxSxK)
69.85 mm x 100 mm x 6.86 mm

Yleistä

Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
512 GB
Laitteistosalaus
Kyllä
NAND flash-muistityyppi
Multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
2.5"
Liitäntä
SATA 6Gb/s
Puskurin koko
512 Mt
Ominaisuudet
Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-tuki, Automatic Garbage Collection, DevSleep-tila, Samsung 3-core MEX Controller, Microsoft eDrive -yhteensopiva, 3D V-NAND Technology, Dynamic Thermal Guard protection, RAPID-tilan tuki, Low Power DDR2 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., AES 256 bittiä, IEEE 1667
Leveys
69.85 mm
Syvyys
100 mm
Korkeus
6.86 mm

Suorituskyky

Puolijohdeaseman kestokyky
300 TB
Aseman siirtonopeus
600 MBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
550 MBps (luku) / 520 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write
90000 IOPS

Luotettavuus

Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
2,000,000 tuntia

Laajennus & Liitäntä

Liitännät
1 x SATA 6 Gb/s - 7 pin Serial ATA
Yhteensopiva paikka
2.5"

Virransyöttö

Virrankulutus
3.5 watti(a) (aktiivinen)
50 mW (joutokäynnillä)
2 mW (lepotila)

Ohjelmisto & Järjestelmävaatimukset

Mukana tulevat ohjelmistot
Ajurit ja apuohjelmat, Samsung Magician Software, Samsung Smart Migration Software, Samsung Drive Manager

Ympäristötiedot

Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
70 °C
Toimintakosteus
5 - 95 % (ei tiivistetty)
Iskunkestävyys
1500 g @ 0,5 ms puolisinipulssi
Iskunkestävyys (suljettuna)
1500 g @ 0,5 ms
Tärinätoleranssi (suljettuna)
20 g @ 20-2000 Hz

Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.