Huippusuorituskyvyn uudistettu versio. Nopeampi kuin 970 EVO, 970 EVO Plus käyttää uusinta V-NAND -teknologiaa ja firmware-optimoitua suorituskykyä. Se maksimoi NVMe-kaistanleveyden potentiaalin lyömättömään laskentaan. Kapasiteetit jopa 2TB asti, luotettavuus jopa 1,200 TBW:hen saakka.
Valmistaja
Tuotenumero
2695180
Malli
MZ-V7S2T0BW
Ean
8801643628093
Valmistajan kotisivuille
Tuotekuvaus
Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S2T0BW - SSD - 2 Tt - PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
2 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Puskurin koko
2 Gt
Ominaisuudet
RAPID-tilan tuki, V-NAND Technology, eDrive, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller
Ulkomitat (PxSxK)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Paino
8 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
2 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Puskurin koko
2 Gt
Ominaisuudet
RAPID-tilan tuki, V-NAND Technology, eDrive, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller
Leveys
22.15 mm
Syvyys
80.15 mm
Korkeus
2.38 mm
Paino
8 g
Suorituskyky
Puolijohdeaseman kestokyky
1200 TB
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
3500 MBps (luku) / 3300 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
19000 IOPS
4KB Random Write
60000 IOPS
Maximum 4KB Random Write
560000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
620000 IOPS
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Yhteensopiva paikka
M.2 2280
Muuta
Yhteensopivuusstandardit
IEEE 1667
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.