Valmistaja
Tuotenumero
2655437
Malli
MZ-V7E500BW
Ean
8801643205263
Valmistajan kotisivuille
Tuotekuvaus
Samsung 970 EVO MZ-V7E500BW - SSD - 500 GB - PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
500 GB
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Microsoft eDrive -yhteensopiva, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, Temperature Monitoring, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller
Ulkomitat (PxSxK)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Paino
8 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
500 GB
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Microsoft eDrive -yhteensopiva, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, Temperature Monitoring, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller
Leveys
22.15 mm
Syvyys
80.15 mm
Korkeus
2.38 mm
Paino
8 g
Suorituskyky
Puolijohdeaseman kestokyky
300 TB
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
3400 MBps (luku) / 2300 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write
450000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
370000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Yhteensopiva paikka
M.2 2280
Virransyöttö
Virrankulutus
10 watti(a) (aktiivinen konfig. enint.)
5.7 watti(a) (aktiivinen)
30 mW (tyhjäkäynti enint.)
5.7 watti(a) (aktiivinen)
30 mW (tyhjäkäynti enint.)
Muuta
Yhteensopivuusstandardit
IEEE 1667
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.