Tuotenumero: 3303621

Samsung 990 EVO Plus SSD - 2TB - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 2 TB, sisäinen, tiedonsiirtonopeus: 7250 MB/s (luku) / 6300 MB/s (kirjoitus), IOPS: 1000000 IOPS (luku) / 1350000 IOPS (kirjoitus), koko: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 / PCI-Express 5.0 x2 yhteys, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Samsung controller

Varastossa
325,67 € 259,50 € Ilman arvonlisäveroa
Ilmainen toimitus noutopisteeseen
15+ kpl Varastossa - 2-5 arkipäivän toimitus

The Samsung 990 EVO Plus is an internal solid state drive designed for demanding applications. With a robust capacity of up to 4 TB, it ensures ample storage for a variety of files and applications. The drive utilizes PCI Express 5.0 and boasts internal data rates of up to 7150 MB/s, allowing for quick data retrieval and minimal load times. Samsung’s V-NAND TLC Technology enhances performance and endurance, making it suitable for both everyday computing and intensive tasks. This drive is engineered to withstand a range of environmental conditions, operating effectively in temperatures from 0°C to 70°C and withstanding storage temperatures as low as -40°C and as high as 85°C. It features TRIM support and an Auto Garbage Collection Algorithm, ensuring optimal performance over time. Security is prioritized with hardware encryption and compliance with TCG Opal Encryption 2.0, safeguarding data against unauthorized access.

Valmistaja
Tuotenumero
3303621
Malli
MZ-V9S2T0BW
Ean
8806095575650
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 2 Tt - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
2 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Ominaisuudet
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep -tuki, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Ulkomitat (PxSxK)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Paino
9 g

Yleistä

Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
2 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Ominaisuudet
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep -tuki, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Leveys
22.15 mm
Syvyys
80.15 mm
Korkeus
2.38 mm
Paino
9 g

Suorituskyky

Sisäinen tiedonsiirtonopeus
7250 MBps (luku) / 6300 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write
1350000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
1000000 IOPS

Luotettavuus

Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1.500.000 tuntia

Laajennus & Liitäntä

Yhteensopiva paikka
M.2 2280

Virransyöttö

Virrankulutus
4.6 watti(a) (luku)
4.2 watti(a) (kirjoitus)
60 mW (standby)
5 mW (lepotila)

Ohjelmisto & Järjestelmävaatimukset

Mukana tulevat ohjelmistot
Samsung Magician Software

Muuta

Kotelon materiaali
Nikkelipinnoite

Ympäristötiedot

Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
70 °C
Iskunkestävyys (suljettuna)
1500 g @ 0,5 ms
Tärinätoleranssi (suljettuna)
20 g @ 20-2000 Hz

Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.