Tuotenumero: 3103447d

Samsung 990 Pro SSD - 2TB - Ilman jäähdytyssiiliä - M.2 2280 - PCIe 4.0 *DEMO*

SSD (Solid State Drive), 2 TB, sisäinen, tiedonsiirtonopeus: 7450 MB/s (luku) / 6900 MB/s (kirjoitus), IOPS: 1400000 IOPS (luku) / 1550000 IOPS (kirjoitus), 2GB LPDDR4 RAM, koko: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 yhteys, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), laitteiston salaus: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller, väri: musta

Tämä demotuote on joko palautettu meille käyttäen peruutusoikeutta, siitä puuttuu tuotepakkaus tai se on korjattu tuote. Me emme pysty kertomaan tarkemmin, mikä näistä sopii tähän tuotteeseen. Tuotteet on testattu ja ne toimivat, mutta ne toimitetaan pääsääntöisesti ilman alkuperäispakkausta ja lisätarvikkeita, joilla ei ole merkitystä tuotteen toiminnan kannalta. Jos akku tai laturi on sisällytetty alkuperäiseen tuotteeseen ja on välttämätön tuotteen käytölle, se sisältyy. Peruuttamisoikeus ja takuu on demotuotteilla samoin kuin uusilla tuotteilla. 

Ei ole mahdollista tilata useampaa, kuin meillä on varastossa.

Varastossa
387,40 € 308,69 € Ilman arvonlisäveroa
Ilmainen toimitus noutopisteeseen
1 kpl Varastossa - 2-5 arkipäivän toimitus

Saavuta PCIe 4.0:n maksimisuorituskyky. Koe pidempikestoinen, vastustajia räjäyttävä nopeus. Sisäisen ohjaimen älykäs lämmönsäätö tarjoaa huipputehokasta virrankulutusta säilyttäen samalla hurjan nopeuden ja suorituskyvyn, jotta voit pysyä pelisi huipulla.

Valmistaja
Tuotenumero
3103447d
Malli
MZ-V9P2T0BW
Ean
8806094215038
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW - SSD - 2 Tt - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
2 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Tiedonsiirtonopeus
8 GBps
Ominaisuudet
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 Gt LPDDR4 DRAM-välimuistia, TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, unitila, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Ulkomitat (PxSxK)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Paino
9 g

Yleistä

Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
2 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 Gt LPDDR4 DRAM-välimuistia, TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, unitila, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Leveys
22 mm
Syvyys
80 mm
Korkeus
2.3 mm
Paino
9 g

Suorituskyky

Puolijohdeaseman kestokyky
1200 TB
Aseman siirtonopeus
8 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
7450 MBps (luku) / 6900 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
1400000 IOPS
4KB Random Write
1550000 IOPS

Luotettavuus

Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia

Laajennus & Liitäntä

Yhteensopiva paikka
M.2 2280

Virransyöttö

Virrankulutus
5.8 watti(a) (luku)
5.1 watti(a) (kirjoitus)
55 mW (joutokäynnillä)
5 mW (L1.2-tila)

Ohjelmisto & Järjestelmävaatimukset

Mukana tulevat ohjelmistot
Samsung Magician Software

Muuta

Yhteensopivuusstandardit
IEEE 1667, FCC, UKCA, cRUus, VCCI, EAC
Pakkaustiedot
Laaatikko

Ympäristötiedot

Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
70 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila
-40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila
85 °C
Toimintakosteus
5 - 95 % (ei tiivistetty)
Iskunkestävyys (suljettuna)
1500 g @ 0,5 ms
Tärinätoleranssi (suljettuna)
20 g @ 20-2000 Hz

Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.