The PM981 is fully consist of semiconductor device and using NAND Flash Memory which has a high reliability and a high technology in a small form factor for using a SSD and supporting Peripheral Component Interconnect Express (PCIe) 3.0 interface standard up to 4 lanes shows much faster performance than previous SATA SSDs.
Valmistaja
Tuotenumero
2661038
Malli
MZVLB1T0HALR-00000
Ean
5706998579744
Valmistajan kotisivuille
Tuotekuvaus
Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - puolijohdeasema - 1 Tt - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
Puolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko
1 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
256-bit AES-XTS
NAND flash-muistityyppi
3D multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a
Ulkomitat (PxSxK)
22 mm x 80 mm x 2.38 mm
Paino
9 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
Puolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko
1 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
256-bit AES-XTS
NAND flash-muistityyppi
3D multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Tavua/sektori
512
Ominaisuudet
3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a
Leveys
22 mm
Syvyys
80 mm
Korkeus
2.38 mm
Paino
9 g
Suorituskyky
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
3200 MBps (luku) / 2400 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write
440000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
380000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia
Korjattavissa olevat virheet
1 per 10^15
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
PCI Express 3.0 x8 (NVMe) - M.2 Card
Yhteensopiva paikka
M.2 2280
Virransyöttö
Virrankulutus
5.9 watt (luku)
5.7 watt (kirjoitus)
30 mW (joutokäynnillä)
5.7 watt (kirjoitus)
30 mW (joutokäynnillä)
Muuta
Yhteensopivuusstandardit
TUV, VCCI, BSMI, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, cULus, RCM
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.