Tuotenumero: 2971898

Samsung PM9A3 SSD - 3.8TB - M.2 22110 (110mm) PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 3.84 TB, sisäinen, tiedonsiirtonopeus: 6900 MB/s (luku) / 4100 MB/s (kirjoitus), IOPS: 1000000 IOPS (luku) / 180000 IOPS (kirjoitus), koko: U.2 / 2.5", PCI-Express 4.0 x4 yhteys, NVMe 1.4 (Non-Volatile Memory Express), laitteiston salaus: 256-XTS bit TCG Opal, Samsung Elpis controller, väri: musta, optimoitu palvelimen käyttöön

3 198,19 € 2 548,36 € Ilman arvonlisäveroa
Ilmainen toimitus noutopisteeseen
Tukkurilla, 4-7 arkipäivää toimitukseen

The Samsung SSD PM9A3 presents outstanding performance with instant responsiveness to the host system, by applying the Peripheral Component Interconnect Express (PCIe) 3.0 interface standard, as well as highly efficient Non-Volatile Memory Express (NVMe) Protocol.

By combining the enhanced reliability Samsung NAND Flash memory silicon with NAND Flash management technologies, the Samsung SSD PM9A3 delivers the extended endurance of up to 1.3 drive writes per day over 3 years, which is suitable for enterprise applications.

In addition, the Samsung SSD PM9A3 supports Power Loss Protection (PLP). PLP solution can guarantee that data issued by the host system are written to the storage media without any loss in the event of sudden power off or sudden power failure.

Valmistaja
Tuotenumero
2971898
Malli
MZ1L23T8HBLA-00A07
Ean
8592978395070
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
Samsung PM9A3 MZ1L23T8HBLA - SSD - 3.84 Tt - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
3.84 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
256-bit AES-XTS
NAND flash-muistityyppi
Multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
M.2 22110
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
Ulkomitat (PxSxK)
22 mm x 110 mm x 3.8 mm
Paino
20 g

Yleistä

Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
3.84 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
256-bit AES-XTS
NAND flash-muistityyppi
Multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
M.2 22110
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Tavua/sektori
512
Ominaisuudet
V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
Leveys
22 mm
Syvyys
110 mm
Korkeus
3.8 mm
Paino
20 g

Suorituskyky

Sisäinen tiedonsiirtonopeus
5500 MBps (luku) / 2000 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
800000 IOPS
4KB Random Write
85000 IOPS

Luotettavuus

Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
2,000,000 tuntia
Ei-korjattavissa olevat virheet
1 per 10^17

Laajennus & Liitäntä

Liitännät
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Yhteensopiva paikka
M.2 22110

Virransyöttö

Virrankulutus
8.2 watti(a) (luku)
8.2 watti(a) (kirjoitus)
2.5 watti(a) (joutokäynnillä)

Muuta

Yhteensopivuusstandardit
RoHS, cUL, TUV, BSMI, CB, KCC, VCCI, RCM, FCC, IC, ei halogeenia

Ympäristötiedot

Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
70 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila
-40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila
85 °C
Toimintakosteus
5 - 95 % (ei tiivistetty)
Iskunkestävyys (suljettuna)
1500 g
Tärinätoleranssi (suljettuna)
20 g @ 10-2000 Hz

Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.