Tuotenumero: 3347708
Samsung 9100 PRO SSD - 4TB - Jäähdytyssiilillä - M.2 2280 - PCIe 5.0
SSD (Solid State Drive), 4 TB, sisäinen, tiedonsiirtonopeus: 14800 MB/s (luku) / 13400 MB/s (kirjoitus), IOPS: 2200000 IOPS (luku) / 2600000 IOPS (kirjoitus), 4GB LPDDR4X RAM, koko: M.2 2280 (80mm), kanssa jäähdytyselementti (tarkista yhteensopivuus ennen ostamista), PCI-Express 5.0 x4 yhteys, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), laitteiston salaus: 256 bit / TCG Opal, Samsung Presto controller, software: Magican software for SSD management, väri: sort
Varastossa
809,90 €
645,34 € Ilman arvonlisäveroa
Ilmainen toimitus noutopisteeseen
15 kpl
Varastossa - 2-5 arkipäivän toimitus
Suuren kysynnän vuoksi, ostosten määrää on rajoitettu 2 kpl/asiakas, sillä haluamme tarjota mahdollisuuden mahdollisimman monelle.
Jos sinulla on tarvetta useammalle kappaleelle, kuin mitä hyväksymme, ole hyvä ja ota yhteyttä asiakaspalveluumme.
Jos sinulla on tarvetta useammalle kappaleelle, kuin mitä hyväksymme, ole hyvä ja ota yhteyttä asiakaspalveluumme.
Valmistaja
Tuotenumero
3347708
Malli
MZ-VAP4T0CW
Ean
8806095811659
Valmistajan kotisivuille
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0 - SSD - 4 Tt - lämmönhaihduttimella - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
4 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Device Sleep -tuki, Samsung V-NAND TLC Technology, integroitu lämpölevy, Intelligent TurboWrite 2.0 Technology, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Kotelon väri
Musta
Ulkomitat (PxSxK)
22.9 mm x 81.3 mm x 8.89 mm
Paino
31.8 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
4 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Device Sleep -tuki, Samsung V-NAND TLC Technology, integroitu lämpölevy, Intelligent TurboWrite 2.0 Technology, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Leveys
22.9 mm
Syvyys
81.3 mm
Korkeus
8.89 mm
Paino
31.8 g
Suorituskyky
Puolijohdeaseman kestokyky
2400 TB
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
14800 MBps (luku) / 13400 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write
2600000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
2200000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1.500.000 tuntia
Laajennus & Liitäntä
Yhteensopiva paikka
M.2 2280
Virransyöttö
Virrankulutus
9 watti(a) (luku)
8.2 watti(a) (kirjoitus)
6.5 watti(a) (joutokäynnillä)
5.7 mW (lepotila)
8.2 watti(a) (kirjoitus)
6.5 watti(a) (joutokäynnillä)
5.7 mW (lepotila)
Ohjelmisto & Järjestelmävaatimukset
Mukana tulevat ohjelmistot
Samsung Magician Software
Muuta
Yhteensopivuusstandardit
IEEE 1667
Kotelon väri
Musta
Pakkaustiedot
Riippukotelo
Mitat ja paino pakkauksen kanssa
Lähetysleveys
9.9 cm
Lähetyssyvyys
2.29 cm
Lähetyskorkeus
16.3 cm
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
70 °C
Iskunkestävyys (suljettuna)
1500 g @ 0,5 ms puolisini
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.