Tuotenumero: 3347709

Samsung 9100 PRO SSD - 8TB - Jäähdytyssiilillä - M.2 2280 - PCIe 5.0

SSD (Solid State Drive), 8 TB, sisäinen, tiedonsiirtonopeus: 14800 MB/s (luku) / 13400 MB/s (kirjoitus), IOPS: 2200000 IOPS (luku) / 2600000 IOPS (kirjoitus), 8GB LPDDR4X RAM, koko: M.2 2280 (80mm), kanssa jäähdytyselementti (tarkista yhteensopivuus ennen ostamista), PCI-Express 5.0 x4 yhteys, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), laitteiston salaus: 256 bit / TCG Opal, Samsung Presto controller, software: Magican software for SSD management, väri: sort

Ilmainen toimitus noutopisteeseen
15+ kpl Varastossa - 2-5 arkipäivän toimitus

The Samsung 9100 PRO MZ-VAP8T0 solid state drive offers a capacity of 8 TB, ensuring space for important files and applications. With an internal data rate of 14800 MBps and write speed of 13400 MBps, this SSD delivers performance for demanding tasks. Designed with Samsung V-NAND TLC Technology and Intelligent TurboWrite 2.0 Technology, it enhances data management and storage efficiency while maintaining performance under various conditions. Robustly built, the drive includes an integrated heatsink for effective thermal management, along with features such as TRIM support and an Auto Garbage Collection Algorithm to improve longevity and speed. The M.2 2280 form factor makes it suitable for a range of devices, including compatibility with PlayStation, all while featuring a durable design that withstands extreme temperatures and conditions. Experience increased storage reliability and performance with the Samsung 9100 PRO SSD.

Valmistaja
Tuotenumero
3347709
Malli
MZ-VAP8T0CW
Ean
8806095811642
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
Samsung 9100 PRO MZ-VAP8T0 - SSD - 8 Tt - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
8 Tt
Integroitu jäähdytyslevy
Kyllä
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Device Sleep -tuki, Samsung V-NAND TLC Technology, integroitu lämpölevy, Intelligent TurboWrite 2.0 Technology, PlayStation-yhteensopiva, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Kotelon väri
Musta
Ulkomitat (PxSxK)
25 mm x 80.15 mm x 11.25 mm
Paino
35 g

Yleistä

Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
8 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Integroitu jäähdytyslevy
Kyllä
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Device Sleep -tuki, Samsung V-NAND TLC Technology, integroitu lämpölevy, Intelligent TurboWrite 2.0 Technology, PlayStation-yhteensopiva, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Leveys
25 mm
Syvyys
80.15 mm
Korkeus
11.25 mm
Paino
35 g

Suorituskyky

Puolijohdeaseman kestokyky
4800 TB
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
14800 MBps (luku) / 13400 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write
2600000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
2200000 IOPS

Luotettavuus

Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1.500.000 tuntia

Laajennus & Liitäntä

Yhteensopiva paikka
M.2 2280

Ohjelmisto & Järjestelmävaatimukset

Mukana tulevat ohjelmistot
Samsung Magician Software

Muuta

Yhteensopivuusstandardit
IEEE 1667
Kotelon väri
Musta
Pakkaustiedot
Laaatikko

Ympäristötiedot

Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
70 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila
-40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila
85 °C
Toimintakosteus
5 - 95 % (ei tiivistetty)
Iskunkestävyys (suljettuna)
1500 g @ 0,5 ms puolisini
Tärinätoleranssi (suljettuna)
20 g @ 20-2000 Hz

Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.