SSD - Samsung 990 Pro SSD - 1TB - Ilman jäähdytyssiiliä - M.2 2280 - PCIe 4.0 - MZ-V9P1T0BW
Tuotenumero: 3103446
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW

Samsung 990 Pro SSD - 1TB - Ilman jäähdytyssiiliä - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 1 TB, sisäinen, tiedonsiirtonopeus: 7450 MB/s (luku) / 6900 MB/s (kirjoitus), IOPS: 1200000 IOPS (luku) / 1550000 IOPS (kirjoitus), 1GB LPDDR4 RAM, koko: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 yhteys, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), laitteiston salaus: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller, väri: musta

Lue lisää
Varastossa
99,90 € Kampanjatuote on loppuunmyyty
123,90 €
98,73 € Ilman arvonlisäveroa
Kampanja on voimassa 02-01-2025 08.50 - 19-01-2025 23.59. Kampanjatuotteita on rajoitettu kappalemäärä ja kun määrä on myyty loppuun, tuote myydään normaalilla hinnalla.
Edullisin toimitus (yksityisasiakkaat) 6,99 €
+15 kpl Varastossa - 2-5 arkipäivän toimitus

Reach max performance of PCIe 4.0. Experience longer-lasting, opponent-blasting speed. The in-house controller's smart heat control delivers supreme power efficiency while maintaining ferocious speed and performance, to always keep you at the top of your game.

Valmistaja
Tuotenumero
3103446
Malli
MZ-V9P1T0BW
Ean
8806094215021
Valmistajan kotisivuille
Tuotekuvaus
Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW - SSD - 1 Tt - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
1 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Tiedonsiirtonopeus
8 GBps
Ominaisuudet
1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, unitila, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Ulkomitat (PxSxK)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Paino
9 g
Valmistajan takuu
5 vuoden takuu

Yleistä

Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
1 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, unitila, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Leveys
22 mm
Syvyys
80 mm
Korkeus
2.3 mm
Paino
9 g

Suorituskyky

Puolijohdeaseman kestokyky
600 TB
Aseman siirtonopeus
8 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
7450 MBps (luku) / 6900 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
1200000 IOPS
4KB Random Write
1550000 IOPS

Luotettavuus

Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia

Laajennus & Liitäntä

Yhteensopiva paikka
M.2 2280

Virransyöttö

Virrankulutus
5.4 watti(a) (luku)
5 watti(a) (kirjoitus)
50 mW (joutokäynnillä)
5 mW (L1.2-tila)

Ohjelmisto & Järjestelmävaatimukset

Mukana tulevat ohjelmistot
Samsung Magician Software

Muuta

Yhteensopivuusstandardit
IEEE 1667, FCC, UKCA, cRUus, VCCI, EAC
Pakkaustiedot
Laaatikko

Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.