Apua

SSD - Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Ilman jäähdytyssiiliä - M.2 2280 - PCIe 4.0 - MZ-V9P4T0BW
Tuotenumero: 3103448
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW

Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Ilman jäähdytyssiiliä - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 4 TB, sisäinen, tiedonsiirtonopeus: 7450 MB/s (luku) / 6900 MB/s (kirjoitus), IOPS: 1400000 IOPS (luku) / 1550000 IOPS (kirjoitus), 4GB LPDDR4 RAM, koko: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 yhteys, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), laitteiston salaus: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller

Varastossa
359,90 € 290,24 € Ilman arvonlisäveroa
Ilmainen toimitus
+15 kpl Varastossa - 2-5 arkipäivän toimitus

The Samsung 990 PRO solid state drive combines high capacity storage, rapid data transfer speeds, and advanced security features into a reliable and efficient storage solution. With a 4 TB capacity, it offers ample space for large digital libraries, while the PCI Express 4.0 x4 (NVMe) interface ensures swift data access and transfer speeds of up to 7450 MBps read and 6900 MBps write. Advanced security is provided through 256-bit AES hardware encryption, protecting sensitive data against unauthorized access. Additionally, features like Dynamic Thermal Guard protection and low power consumption modes ensure the drive operates efficiently and safely, making it an ideal choice for demanding applications and multitasking environments.

Valmistaja
Tuotenumero
3103448
Malli
MZ-V9P4T0BW
Ean
8806094947205
Valmistajan kotisivuille
Tuotekuvaus
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 Tt - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
4 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Garbage Collection -teknologia, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep -tuki, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Ulkomitat (PxSxK)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Paino
9 g

Yleistä

Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
4 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Garbage Collection -teknologia, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep -tuki, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Leveys
22 mm
Syvyys
80 mm
Korkeus
2.3 mm
Paino
9 g

Suorituskyky

Sisäinen tiedonsiirtonopeus
7450 MBps (luku) / 6900 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write
1550000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
1600000 IOPS

Luotettavuus

Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia

Laajennus & Liitäntä

Liitännät
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Yhteensopiva paikka
M.2 2280

Virransyöttö

Virrankulutus
5.5 watti(a) (keskimäärä)
55 mW (joutokäynnillä)

Ohjelmisto & Järjestelmävaatimukset

Mukana tulevat ohjelmistot
Samsung Magician Software

Muuta

Yhteensopivuusstandardit
IEEE 1667

Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.