Samsung 990 Pro SSD - 2TB - Jäähdytyssiilillä - M.2 2280 - PCIe 4.0
SSD (Solid State Drive), 2 TB, sisäinen, tiedonsiirtonopeus: 7450 Mbps (luku) / 6900 Mbps (kirjoitus), IOPS: 1400000 Mbps (luku) / 1550000 Mbps (kirjoitus), 2GB LPDDR4 RAM, koko: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 yhteys, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), laitteiston salaus: 256 bit / TCG Opal, DirectStorage yhteensopiva, Samsung Pascal S4LV008 controller, Huom! Bulkkipakattu (ilman lisävarusteita)
145,08 € Ilman arvonlisäveroa
Tukkurilla, 2-5 arkipäivää toimitukseen (ETA oma varasto 4.12.2023)
Edullisin toimitus (yksityisasiakkaat) 0,00 €
JOULUNAJAN PIDENNETTY PALAUTUSOIKEUS 31.1.2024 ASTI
Proshop tarjoaa pidennetyn palautusoikeuden yksityisasiakkaille ja tilauksille, jotka on ostettu 1. marraskuuta – 23. joulukuuta 2023 välisenä aikana. Katso ehdot täältä.
Proshop tarjoaa pidennetyn palautusoikeuden yksityisasiakkaille ja tilauksille, jotka on ostettu 1. marraskuuta – 23. joulukuuta 2023 välisenä aikana. Katso ehdot täältä.
Reach max performance of PCIe 4.0. Experience longer-lasting, opponent-blasting speed. The in-house controller's smart heat control delivers supreme power efficiency while maintaining ferocious speed and performance, to always keep you at the top of your game.
Valmistaja
Tuotenumero
3173145
Malli
MZ-V9P2T0CW / GW
Ean
8806094413755
Valmistajan kotisivuille
Tuotekuvaus
Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0CW - SSD - 2 Tt - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
2 Tt
Integroitu jäähdytyslevy
Kyllä
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
Unitila, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., NVMe 2.0
Ulkomitat (PxSxK)
24.3 mm x 80 mm x 8.2 mm
Paino
28 g
Suunniteltu malleihin
Sony PlayStation 5
Yleistä
Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
2 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Multi-level cell (MLC)
Integroitu jäähdytyslevy
Kyllä
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
Unitila, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., NVMe 2.0
Leveys
24.3 mm
Syvyys
80 mm
Korkeus
8.2 mm
Paino
28 g
Suorituskyky
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
7450 MBps (luku) / 6900 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write
1550000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
1400000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Yhteensopiva paikka
M.2 2280
Virransyöttö
Virrankulutus
5.8 watti(a) (luku)
5.1 watti(a) (kirjoitus)
55 mW (joutokäynnillä)
5 mW (L1.2-tila)
5.1 watti(a) (kirjoitus)
55 mW (joutokäynnillä)
5 mW (L1.2-tila)
Ohjelmisto & Järjestelmävaatimukset
Mukana tulevat ohjelmistot
Samsung Magician Software
Muuta
Yhteensopivuusstandardit
IEEE 1667
Pakkaustiedot
Laaatikko
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
70 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila
-40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila
85 °C
Toimintakosteus
5 - 95 % (ei tiivistetty)
Iskunkestävyys (suljettuna)
1500 g
Tärinätoleranssi (suljettuna)
20 g @ 20-2000 Hz
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.