Tuotenumero: 3198219

Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Jäähdytyssiilillä - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 4 TB, sisäinen, tiedonsiirtonopeus: 7450 MB/s (luku) / 6900 MB/s (kirjoitus), IOPS: 1400000 IOPS (luku) / 1550000 IOPS (kirjoitus), 4GB LPDDR4 RAM, koko: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 yhteys, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), laitteiston salaus: 256 bit / TCG Opal, DirectStorage yhteensopiva, Samsung Pascal S4LV008 controller, Huom! Bulkkipakattu (ilman lisävarusteita), väri: sort

Ilmainen toimitus noutopisteeseen
2 kpl Varastossa - 2-5 arkipäivän toimitus

The Samsung 990 PRO solid state drive combines high-capacity storage, fast speeds, and advanced security measures to meet the needs of demanding data environments. With a 4 TB capacity and a 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, it offers ample space and quick access to your data. The drive's PCI Express 4.0 x4 (NVMe) interface ensures rapid data transfer rates, making it ideal for intensive applications and multitasking.

Designed for durability, the Samsung 990 PRO features an integrated heatsink to maintain optimal temperatures and supports S.M.A.R.T., TRIM, and Device Sleep technologies for enhanced efficiency and longevity. Its 256-bit AES hardware encryption and TCG Opal Encryption 2.0 provide secure data protection, making it a trustworthy choice for sensitive information. Whether for professional or personal use, this SSD delivers performance, reliability, and security.

Valmistaja
Tuotenumero
3198219
Malli
MZ-V9P4T0CW / GW
Ean
8806094946857
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0GW - SSD - 4 Tt - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
4 Tt
Integroitu jäähdytyslevy
Kyllä
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Device Sleep -tuki, Garbage Collection -teknologia, Samsung V-NAND TLC Technology, 4 Gt :n vähän virtaa kuluttava DDR4 SDRAM-välimuisti, S.M.A.R.T.
Ulkomitat (PxSxK)
25 mm x 80.15 mm x 8.88 mm
Paino
28 g

Yleistä

Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
4 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
Integroitu jäähdytyslevy
Kyllä
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
TRIM-tuki, Device Sleep -tuki, Garbage Collection -teknologia, Samsung V-NAND TLC Technology, 4 Gt :n vähän virtaa kuluttava DDR4 SDRAM-välimuisti, S.M.A.R.T.
Leveys
25 mm
Syvyys
80.15 mm
Korkeus
8.88 mm
Paino
28 g

Suorituskyky

Sisäinen tiedonsiirtonopeus
7450 MBps (luku) / 6900 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write
1550000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
1600000 IOPS

Luotettavuus

Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia

Laajennus & Liitäntä

Liitännät
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Yhteensopiva paikka
M.2 2280

Virransyöttö

Virrankulutus
6.5 watti(a) (keskimäärä)
55 mW (joutokäynnillä)

Ohjelmisto & Järjestelmävaatimukset

Mukana tulevat ohjelmistot
Samsung Magician Software

Muuta

Yhteensopivuusstandardit
IEEE 1667

Ympäristötiedot

Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
70 °C
Iskunkestävyys (suljettuna)
1500 g

Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.