Tuotenumero: 3173144
Samsung 990 Pro SSD - 1TB - Jäähdytyssiilillä - M.2 2280 - PCIe 4.0
SSD (Solid State Drive), 1 TB, sisäinen, tiedonsiirtonopeus: 7450 MB/s (luku) / 6900 MB/s (kirjoitus), IOPS: 1200000 IOPS (luku) / 1550000 IOPS (kirjoitus), 1GB LPDDR4 RAM, koko: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 yhteys, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), laitteiston salaus: 256 bit / TCG Opal, DirectStorage yhteensopiva, Samsung Pascal S4LV008 controller, Huom! Bulkkipakattu (ilman lisävarusteita), väri: sort
Varastossa
259,90 €
207,09 € Ilman arvonlisäveroa
Ilmainen toimitus noutopisteeseen
3 kpl
Varastossa - 2-5 arkipäivän toimitus
Suuren kysynnän vuoksi, ostosten määrää on rajoitettu 2 kpl/asiakas, sillä haluamme tarjota mahdollisuuden mahdollisimman monelle.
Jos sinulla on tarvetta useammalle kappaleelle, kuin mitä hyväksymme, ole hyvä ja ota yhteyttä asiakaspalveluumme.
Jos sinulla on tarvetta useammalle kappaleelle, kuin mitä hyväksymme, ole hyvä ja ota yhteyttä asiakaspalveluumme.
Reach max performance of PCIe 4.0. Experience longer-lasting, opponent-blasting speed. The in-house controller's smart heat control delivers supreme power efficiency while maintaining ferocious speed and performance, to always keep you at the top of your game.
Valmistaja
Tuotenumero
3173144
Malli
MZ-V9P1T0CW / GW
Ean
8806094413748
Valmistajan kotisivuille
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0GW - SSD - 1 Tt - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
1 Tt
Integroitu jäähdytyslevy
Kyllä
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, unitila, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Ulkomitat (PxSxK)
24.3 mm x 80 mm x 8.2 mm
Paino
28 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
1 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Multi-level cell (MLC)
Integroitu jäähdytyslevy
Kyllä
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, unitila, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Leveys
24.3 mm
Syvyys
80 mm
Korkeus
8.2 mm
Paino
28 g
Suorituskyky
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
7450 MBps (luku) / 6900 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write
1550000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto
1200000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia
Laajennus & Liitäntä
Liitännät
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Yhteensopiva paikka
M.2 2280
Virransyöttö
Virrankulutus
5.4 watti(a) (luku)
5 watti(a) (kirjoitus)
50 mW (joutokäynnillä)
5 mW (L1.2-tila)
5 watti(a) (kirjoitus)
50 mW (joutokäynnillä)
5 mW (L1.2-tila)
Ohjelmisto & Järjestelmävaatimukset
Mukana tulevat ohjelmistot
Samsung Magician Software
Muuta
Yhteensopivuusstandardit
IEEE 1667
Pakkaustiedot
Laaatikko
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
70 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila
-40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila
85 °C
Toimintakosteus
5 - 95 % (ei tiivistetty)
Iskunkestävyys (suljettuna)
1500 g
Tärinätoleranssi (suljettuna)
20 g @ 20-2000 Hz
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.