Tuotenumero: 3103447
Samsung 990 Pro SSD - 2TB - Ilman jäähdytyssiiliä - M.2 2280 - PCIe 4.0
SSD (Solid State Drive), 2 TB, sisäinen, tiedonsiirtonopeus: 7450 MB/s (luku) / 6900 MB/s (kirjoitus), IOPS: 1400000 IOPS (luku) / 1550000 IOPS (kirjoitus), 2GB LPDDR4 RAM, koko: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 yhteys, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), laitteiston salaus: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller, väri: musta
Varastossa
469,90 €
374,42 € Ilman arvonlisäveroa
Ilmainen toimitus noutopisteeseen
15+ kpl
Varastossa - 2-5 arkipäivän toimitus
Suuren kysynnän vuoksi, ostosten määrää on rajoitettu 2 kpl/asiakas, sillä haluamme tarjota mahdollisuuden mahdollisimman monelle.
Jos sinulla on tarvetta useammalle kappaleelle, kuin mitä hyväksymme, ole hyvä ja ota yhteyttä asiakaspalveluumme.
Jos sinulla on tarvetta useammalle kappaleelle, kuin mitä hyväksymme, ole hyvä ja ota yhteyttä asiakaspalveluumme.
Saavuta PCIe 4.0:n maksimisuorituskyky. Koe pidempikestoinen, vastustajia räjäyttävä nopeus. Sisäisen ohjaimen älykäs lämmönsäätö tarjoaa huipputehokasta virrankulutusta säilyttäen samalla hurjan nopeuden ja suorituskyvyn, jotta voit pysyä pelisi huipulla.
Valmistaja
Tuotenumero
3103447
Malli
MZ-V9P2T0BW
Ean
8806094215038
Valmistajan kotisivuille
Ota yhteyttä valmistajaan
Tuotekuvaus
Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW - SSD - 2 Tt - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
2 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Tiedonsiirtonopeus
8 GBps
Ominaisuudet
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 Gt LPDDR4 DRAM-välimuistia, TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, unitila, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Ulkomitat (PxSxK)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Paino
9 g
Yleistä
Laitteen tyyppi
SSD-levy - sisäinen
Muistin koko
2 Tt
Laitteistosalaus
Kyllä
Salausalgoritmi
AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi
Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto
M.2 2280
Liitäntä
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 Gt LPDDR4 DRAM-välimuistia, TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, unitila, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Leveys
22 mm
Syvyys
80 mm
Korkeus
2.3 mm
Paino
9 g
Suorituskyky
Puolijohdeaseman kestokyky
1200 TB
Aseman siirtonopeus
8 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus
7450 MBps (luku) / 6900 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read
1400000 IOPS
4KB Random Write
1550000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)
1,500,000 tuntia
Laajennus & Liitäntä
Yhteensopiva paikka
M.2 2280
Virransyöttö
Virrankulutus
5.8 watti(a) (luku)
5.1 watti(a) (kirjoitus)
55 mW (joutokäynnillä)
5 mW (L1.2-tila)
5.1 watti(a) (kirjoitus)
55 mW (joutokäynnillä)
5 mW (L1.2-tila)
Ohjelmisto & Järjestelmävaatimukset
Mukana tulevat ohjelmistot
Samsung Magician Software
Muuta
Yhteensopivuusstandardit
IEEE 1667, FCC, UKCA, cRUus, VCCI, EAC
Pakkaustiedot
Laaatikko
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila
0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila
70 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila
-40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila
85 °C
Toimintakosteus
5 - 95 % (ei tiivistetty)
Iskunkestävyys (suljettuna)
1500 g @ 0,5 ms
Tärinätoleranssi (suljettuna)
20 g @ 20-2000 Hz
Edellä mainitut tiedot/tekniset tiedot ovat suuntaa-antavia ja valmistaja voi ilman varoitusta muuttaa niitä. Pidätämme oikeuden painovirheisiin ja ohjeellisiin kuviin. Jotkin tekstit voivat olla automaattisesti luotuja tai konekäännettyjä, mikä voi johtaa harhaanjohtavaan tekstiin.